TRANSETCH — N
（氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂）
新半导体技术中氮化硅[Si3N4]、氮化镓[GaN]或氧化铝[Al2O3]膜的快速可控蚀刻。
独特的优点
· 使用方便
· 选择蚀刻氮化硅、氮化镓或氧化铝膜
· 可反复使用，作用不会随使用而减少
· 不产生毒性烟雾，不需要使用通风橱
· 实际上消除了上蚀或下蚀现象
· 保证硅半导体部件的平面钝化
说明
Transetch—N是用正磷酸制备的纯试剂，它可以在硅或氧化硅存在下实现氮化硅或氧化铝的选择蚀刻。使用它在膜上蚀刻的开口其分辨率和普通平面技术对SiO2所得到的分辨率相当，但同时对暴露的硅和二氧化硅表面基本上没有不良影响。使用它时，对光刻胶、工艺的要求基本上和常惯蚀刻操作过程一样，额外要求很少，而且成本不高。
Transetch—N不含氟化物。与氟化物基的蚀刻剂不同，TRANSETCH—N不造成下蚀现象，因此在选择蚀刻时间方面具有宽的安全活动余地。Transetch—N性质稳定,使用寿命长。
物理性质
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液体
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无色、无味
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沸点（释水）
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180℃
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比重，20℃
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1.757
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蚀刻速率，180℃：
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氧化铝
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120 Å/分
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氮化硅
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125 Å/分
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氮化镓
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80 Å/分
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二氧化硅
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1 Å/分
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硅
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1 Å/分
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应用
TRANSETCH—N用于以沉积Si3N4和Al2O3为基础的半导体部件的表面钝化新技术。这一新技术可以生产高质量的可靠的半导体产品，尤其有利于MOS和MIS装置的稳定化。实际上消除了逆温层和离子迁移：漏泄电流通路理论；表面状态得到很好控制。
指导意见
TRANSETCH—N能很好应用于作为沉积膜的掩盖层的沉积SiO2的蚀刻层。当刚刚沉积了钝化膜之后，便能很方便地加上SiO2膜层。为此目的1000 Å的厚度通常便足够了。
用通常的工艺过程在光刻胶和沉积SiO2上得到需蚀刻的开口路线的图案。然后用铬酸—硫酸涂膜消除剂去除光刻胶。将去除光刻胶并冲洗过的基片置于煮沸的TRANSETCH—N液中一段时间，以便允许以每分钟100 Å的速率进行蚀刻过程。而后用冲洗掉所有残余的蚀刻液。这里需要注意的是，要将TRANSETCH—N的沸点稳定地保持在180℃。这就需要把其中水的蒸发量控制到最低。随时可以添加少量蒸馏水，以保证TRANSETCH—N液的沸点不超过180℃。
